导体项目全面投产，主要研究三极管、MOSFET 封装测试、可控硅、三 端稳压管、高反压开关三极管、信号放大三极管、集成电路等；然后是重 庆万国半导体科技有限公司的 12 英寸功率半导体晶元测试片已顺利产出， 预计年底正式量产，据悉，这是亚洲首款 12 寸半导体芯片。

电子器件是一个非常复杂的系统，其封装过程的缺陷和失效也是非常复杂的。 因此，研究封装缺陷和失效需要对封装过程有一个系统性的了解，这样才能从多 个角度去分析缺陷产生的原因。

IGBT 模块并联技术已被广泛应用于电力电子行业。无论是受限于单模块电 流能力不足，还是并联方案更具成本优势，或是系统扩展性、系列化需求，越来 越多的应用需要 IGBT 模块并联方案。为了充分发挥并联优势，均流效果就显得尤为重要了，否则严重电流不平衡 将会导致某一模块承受过大电流，从而限制并联模块整体输出能力，无法达到预 计的并联效果。

相比传统的硅基电力电子器件，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁 带半导体制备的新型电力电子器件凭借其优异性能被认为是可替代硅基器件的 重要选择。